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RFP8N18L

RFP8N18L

RFP8N18L

N-CHANNEL POWER MOSFET

RFP8N18L Technisches Datenblatt

compliant

RFP8N18L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.80000 $0.8
500 $0.792 $396
1000 $0.784 $784
1500 $0.776 $1164
2000 $0.768 $1536
2500 $0.76 $1900
3462 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 180 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V
rds ein (max) @ id, vgs 500mOhm @ 4A, 5V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 900 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 60W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

DMNH4011SPS-13
NTTFS030N10GTAG
NTTFS030N10GTAG
$0 $/Stück
DMT10H9M9LCT
UF3C065080K3S
UF3C065080K3S
$0 $/Stück
DMTH8008SPS-13
NTPF165N65S3H
NTPF165N65S3H
$0 $/Stück

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