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SI9926DY

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N-CHANNEL POWER MOSFET

SI9926DY Technisches Datenblatt

compliant

SI9926DY Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.22000 $0.22
500 $0.2178 $108.9
1000 $0.2156 $215.6
1500 $0.2134 $320.1
2000 $0.2112 $422.4
2500 $0.209 $522.5
4791 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.5A (Ta)
rds ein (max) @ id, vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 700pF @ 10V
Leistung - max. 900mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

DMNH6065SPDW-13
2SK4085LS-CBC11-SY
2SK4085LS-CBC11-SY
$0 $/Stück
FDMS9410L
FMM22-06PF
FMM22-06PF
$0 $/Stück
MCH6620-TL-E
MCH6620-TL-E
$0 $/Stück
APTM120A20SG
NTTFD018N08LC
NTTFD018N08LC
$0 $/Stück

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