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SSP1N50B

SSP1N50B

SSP1N50B

N-CHANNEL POWER MOSFET

SSP1N50B Technisches Datenblatt

nicht konform

SSP1N50B Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.30000 $0.3
500 $0.297 $148.5
1000 $0.294 $294
1500 $0.291 $436.5
2000 $0.288 $576
2500 $0.285 $712.5
2000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 520 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.3Ohm @ 750mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 340 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 36W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IRL40SC209
STB18NM60ND
RU1C002ZPTCL
BSP230,135
BSP230,135
$0 $/Stück
CPH6445-TL-W
CPH6445-TL-W
$0 $/Stück
AUIRFR4292TRL
RP1E090RPTR

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