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SSS2N60B

SSS2N60B

SSS2N60B

N-CHANNEL POWER MOSFET

SSS2N60B Technisches Datenblatt

compliant

SSS2N60B Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.18000 $0.18
500 $0.1782 $89.1
1000 $0.1764 $176.4
1500 $0.1746 $261.9
2000 $0.1728 $345.6
2500 $0.171 $427.5
3094 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2A (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 490 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 23W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

DMTH4014LPSW-13
NTMFS4847NT1G
NTMFS4847NT1G
$0 $/Stück
SI2302CDS-T1-BE3
PSMN8R7-80PS,127
STW7N90K5
STW7N90K5
$0 $/Stück
SI3139KE-TP
IPP60R385CP
ZVP2110GTA

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