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2N7002AQ-7

2N7002AQ-7

2N7002AQ-7

MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23

2N7002AQ-7 Technisches Datenblatt

compliant

2N7002AQ-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.05815 -
6,000 $0.05112 -
15,000 $0.04409 -
30,000 $0.04175 -
75,000 $0.03941 -
150,000 $0.03472 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 180mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V
rds ein (max) @ id, vgs 5Ohm @ 115mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 23 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 370mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

FQI19N20TU
FDC658P
FDC658P
$0 $/Stück
GPI65010DF56
GPI65010DF56
$0 $/Stück
IRFU4510PBF
DMP21D5UFB4-7B
APT43M60B2
PHT6NQ10T,135
FDP5680

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