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2N7002H-7

2N7002H-7

2N7002H-7

MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23

2N7002H-7 Technisches Datenblatt

compliant

2N7002H-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.29000 $0.29
500 $0.2871 $143.55
1000 $0.2842 $284.2
1500 $0.2813 $421.95
2000 $0.2784 $556.8
2500 $0.2755 $688.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 170mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V
rds ein (max) @ id, vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.35 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 26 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 370mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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