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DMG3418L-13

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MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

DMG3418L-13 Technisches Datenblatt

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DMG3418L-13 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
10,000 $0.09144 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 60mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 5.5 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 464.3 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.4W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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