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DMHC10H170SFJ-13

DMHC10H170SFJ-13

DMHC10H170SFJ-13

MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12

compliant

DMHC10H170SFJ-13 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.61770 -
6,000 $0.59037 -
15,000 $0.57084 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.9A, 2.3A
rds ein (max) @ id, vgs 160mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 9.7nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1167pF @ 25V
Leistung - max. 2.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 12-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket V-DFN5045-12
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