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DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

nicht konform

DMN10H120SE-13 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.25356 -
5,000 $0.23891 -
12,500 $0.22427 -
25,000 $0.21402 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.6A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 110mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 549 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.3W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-223-3
Paket / Koffer TO-261-4, TO-261AA
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Zugehörige Teilenummer

STB24N60M2
STB24N60M2
$0 $/Stück
MMBF2202PT1
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$0 $/Stück
FQPF2P25
DMTH4001SPS-13
STP120NF10
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$0 $/Stück
SIDR610DP-T1-GE3
FCPF190N60E-F154
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$0 $/Stück
IXFR64N60P
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