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DMN26D0UT-7

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MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523

DMN26D0UT-7 Technisches Datenblatt

nicht konform

DMN26D0UT-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.06552 -
6,000 $0.05760 -
15,000 $0.04968 -
30,000 $0.04704 -
75,000 $0.04440 -
150,000 $0.03912 -
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 230mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.2V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 3Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 14.1 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-523
Paket / Koffer SOT-523
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Zugehörige Teilenummer

BUK7S1R2-40HJ
NTD60N02R-1G
NTD60N02R-1G
$0 $/Stück
IRFH5304TRPBF
RS1L180GNTB
IXTA08N120P
IXTA08N120P
$0 $/Stück
IXTA1R6N50D2
IXTA1R6N50D2
$0 $/Stück
SKP202
SKP202
$0 $/Stück

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