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DMN3009LFVQ-13

DMN3009LFVQ-13

DMN3009LFVQ-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333

compliant

DMN3009LFVQ-13 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.30480 $0.3048
500 $0.301752 $150.876
1000 $0.298704 $298.704
1500 $0.295656 $443.484
2000 $0.292608 $585.216
2500 $0.28956 $723.9
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2000 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount, Wettable Flank
Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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