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DMN3065LW-7

DMN3065LW-7

DMN3065LW-7

MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323

DMN3065LW-7 Technisches Datenblatt

compliant

DMN3065LW-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.11445 -
6,000 $0.10868 -
15,000 $0.10001 -
30,000 $0.09424 -
75,000 $0.08558 -
4744 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 52mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11.7 nC @ 10 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 465 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 770mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-323
Paket / Koffer SC-70, SOT-323
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Zugehörige Teilenummer

FQI6N50TU
MGSF1N02LT1G
MGSF1N02LT1G
$0 $/Stück
IXFT96N20P
IXFT96N20P
$0 $/Stück
SIHP22N60E-E3
SI2343DS-T1-GE3
SIHD2N80E-GE3

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