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DMN61D8LQ-7

DMN61D8LQ-7

DMN61D8LQ-7

MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23

DMN61D8LQ-7 Technisches Datenblatt

nicht konform

DMN61D8LQ-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.51000 $0.51
500 $0.5049 $252.45
1000 $0.4998 $499.8
1500 $0.4947 $742.05
2000 $0.4896 $979.2
2500 $0.4845 $1211.25
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 470mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 3V, 5V
rds ein (max) @ id, vgs 1.8Ohm @ 150mA, 5V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.74 nC @ 5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 12.9 pF @ 12 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 390mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

SQ2348ES-T1_GE3
DMN13H750S-7
SIR574DP-T1-RE3
NTMYS025N06CLTWG
NTMYS025N06CLTWG
$0 $/Stück
2SK2420
2SK2420
$0 $/Stück
IRL40SC228
NTH4L040N120SC1
NTH4L040N120SC1
$0 $/Stück

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