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DMN61D9U-13

DMN61D9U-13

DMN61D9U-13

MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3

DMN61D9U-13 Technisches Datenblatt

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DMN61D9U-13 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
10,000 $0.06076 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 380mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 5V
rds ein (max) @ id, vgs 2Ohm @ 50mA, 5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.4 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 28.5 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 370mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

FQB55N10TM
FQB55N10TM
$0 $/Stück
STF33N60DM6
SQS164ELNW-T1_GE3
NVMFS5C423NLAFT1G
NVMFS5C423NLAFT1G
$0 $/Stück
IXFT50N85XHV
IXFT50N85XHV
$0 $/Stück
FDMS8020
FDMS8020
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EMH1307-TL-H
EMH1307-TL-H
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BUK9E04-30B,127
BUK9E04-30B,127
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