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DMNH6008SPSQ-13

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MOSFET N-CH 60V 16.5A PWRDI5060

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DMNH6008SPSQ-13 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.74250 -
5,000 $0.71500 -
12,500 $0.70000 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16.5A (Ta), 88A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 40.1 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2597 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerDI5060-8
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

NTHL045N065SC1
NTHL045N065SC1
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IRF9533
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NP80N06MLG-S18-AY
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$0 $/Stück
DMP2069UFY4Q-7
STL22N60DM6
FDMA410NZT-F130
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$0 $/Stück
UJ4C075018K3S
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