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DMNH6012LK3Q-13

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MOSFET N-CH 60V 80A TO252

nicht konform

DMNH6012LK3Q-13 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.62188 -
5,000 $0.59436 -
12,500 $0.57470 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 12mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 35.2 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1926 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252-3
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

NTA4001NT1G
NTA4001NT1G
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NTHS4501NT1
NTHS4501NT1
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MCAC53N06Y-TP
FCH47N60F-F133
FCH47N60F-F133
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SCH1433-S-TL-H
SCH1433-S-TL-H
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AUIRFP4568

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