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DMP1011LFV-13

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MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333

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DMP1011LFV-13 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 12 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 19A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 11.7mOhm @ 12A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 9.5 nC @ 6 V
vgs (max) -6V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 913 pF @ 6 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.16W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

SQD90P04_9M4LT4GE3
IXTQ69N30PM
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NVMFWS027N10MCLT1G
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NTMFS4C800NT1G
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NTTFS5CS73NLTAG
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5HN02M-TL-E
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IRFD313
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NTMTSC4D2N10GTXG
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