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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 12 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 3A (Ta), 3.3A (Ta) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 0.9V, 4.5V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 10Ohm @ 100mA, 0.9V |
| vgs(th) (max) @ ID | 650mV @ 250µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 5 nC @ 4.5 V |
| vgs (max) | -6V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 350 pF @ 6 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 820mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | U-WLB1010-4 |
| Paket / Koffer | 4-UFBGA, WLBGA |
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