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DMP2006UFGQ-7

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MOSFET P-CH 20V PWRDI3333

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DMP2006UFGQ-7 Preise und Bestellung

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2,000 $0.45205 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17.5A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 5.5mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 200 nC @ 10 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7500 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

NVMYS1D6N04CLT1G
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NVMFS5C430NLWFET1G
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UPA2702TP-E2-AZ
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G3404LL
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RFP25N06L
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NTMFSC012N15MC
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NVMFWS005N10MCLT1G
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