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DMT10H009LCG-7

DMT10H009LCG-7

DMT10H009LCG-7

MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN

compliant

DMT10H009LCG-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.54778 $0.54778
500 $0.5423022 $271.1511
1000 $0.5368244 $536.8244
1500 $0.5313466 $797.0199
2000 $0.5258688 $1051.7376
2500 $0.520391 $1300.9775
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12.4A (Ta), 47A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20.2 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2309 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket V-DFN3333-8 (Type B)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

DMNH6069SFVWQ-7
SIHB11N80AE-GE3
DMP6250SFDF-13
R6030JNXC7G
IRF820
IRF820
$0 $/Stück
SIL3400A-TP
2SJ403
2SJ403
$0 $/Stück
NTND31215CZTAG
NTND31215CZTAG
$0 $/Stück

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