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DMT10H015LCG-13

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MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN

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DMT10H015LCG-13 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 15mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 33.3 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1871 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 155°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket V-DFN3333-8
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

PHT11N06LT,135
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ZVN4206A
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FDMC86261P
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APT6025BVRG
IXFT150N30X3HV
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$0 $/Stück
PSMN027-100BS,118
IRFU9110PBF
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