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DMT10H025LSS-13

DMT10H025LSS-13

DMT10H025LSS-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R

compliant

DMT10H025LSS-13 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.28263 $0.28263
500 $0.2798037 $139.90185
1000 $0.2769774 $276.9774
1500 $0.2741511 $411.22665
2000 $0.2713248 $542.6496
2500 $0.2684985 $671.24625
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.1A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 25mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 22.9 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1639 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.3W (Ta), 12.9W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SO
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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