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DMT10H032LFVW-7

DMT10H032LFVW-7

DMT10H032LFVW-7

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

compliant

DMT10H032LFVW-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.39948 $0.39948
500 $0.3954852 $197.7426
1000 $0.3914904 $391.4904
1500 $0.3874956 $581.2434
2000 $0.3835008 $767.0016
2500 $0.379506 $948.765
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 32mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11.9 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 683 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.3W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount, Wettable Flank
Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

BUK9Y2R8-40HX
2SK3019A-TP
HAT2196C-EL-E
HAT2196C-EL-E
$0 $/Stück
NTND31211PZTAG
NTND31211PZTAG
$0 $/Stück
DMN3009SFGQ-13
NTTFS016N06CTAG
NTTFS016N06CTAG
$0 $/Stück
SCT2160KEHRC11
BUK9Y22-60ELX
DMT3020LFCL-7

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