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DMT10H032SFVW-7

DMT10H032SFVW-7

DMT10H032SFVW-7

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

compliant

DMT10H032SFVW-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.25064 $0.25064
500 $0.2481336 $124.0668
1000 $0.2456272 $245.6272
1500 $0.2431208 $364.6812
2000 $0.2406144 $481.2288
2500 $0.238108 $595.27
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 32mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 544 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.3W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount, Wettable Flank
Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

DMT10H032LFDF-7
NTMFS4C808NAT3G
NTMFS4C808NAT3G
$0 $/Stück
RF4G100BGTCR
RJK6012DPP-E0#T2
RJK6012DPP-E0#T2
$0 $/Stück
IXKT70N60C5-TRL
IXKT70N60C5-TRL
$0 $/Stück
2SK4098FS
2SK4098FS
$0 $/Stück
DMTH3004LFG-7
SIRA52DP-T1-RE3

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