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DMT10H9M9SH3

DMT10H9M9SH3

DMT10H9M9SH3

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO251 TUB

compliant

DMT10H9M9SH3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.95080 $0.9508
500 $0.941292 $470.646
1000 $0.931784 $931.784
1500 $0.922276 $1383.414
2000 $0.912768 $1825.536
2500 $0.90326 $2258.15
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 84A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2085 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 114W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-251
Paket / Koffer TO-251-3 Stub Leads, IPak
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