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DMT6012LFV-13

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MOSFET N-CH 60V 43.3A PWRDI3333

nicht konform

DMT6012LFV-13 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.27259 $0.27259
500 $0.2698641 $134.93205
1000 $0.2671382 $267.1382
1500 $0.2644123 $396.61845
2000 $0.2616864 $523.3728
2500 $0.2589605 $647.40125
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 43.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 12mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 22.2 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1522 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.95W (Ta), 33.78W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 (Type UX)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

PMPB08R5XNX
PMPB08R5XNX
$0 $/Stück
DI045N03PT
IXTU8N70X2
IXTU8N70X2
$0 $/Stück
RSH070P05TB1
NTLJS3180PZTBG
NTLJS3180PZTBG
$0 $/Stück
SI7439DP-T1-E3
AUIRF3205
SI2333CDS-T1-GE3

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