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DMT64M1LCG-7

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MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333

nicht konform

DMT64M1LCG-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.50358 $0.50358
500 $0.4985442 $249.2721
1000 $0.4935084 $493.5084
1500 $0.4884726 $732.7089
2000 $0.4834368 $966.8736
2500 $0.478401 $1196.0025
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 65 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16.7A (Ta), 67.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 51.4 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2626 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.2W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket V-DFN3333-8 (Type B)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

2SJ494-AZ
2SJ494-AZ
$0 $/Stück
2SJ358-T1-AZ
2SJ358-T1-AZ
$0 $/Stück
RFD14N06
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$0 $/Stück
NVMYS006N08LHTWG
NVMYS006N08LHTWG
$0 $/Stück
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