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DMT69M5LFVWQ-7

DMT69M5LFVWQ-7

DMT69M5LFVWQ-7

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333

compliant

DMT69M5LFVWQ-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.39239 $0.39239
500 $0.3884661 $194.23305
1000 $0.3845422 $384.5422
1500 $0.3806183 $570.92745
2000 $0.3766944 $753.3888
2500 $0.3727705 $931.92625
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 14.8A (Ta), 40.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.3mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 28.4 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1406 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.74W (Ta), 20.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount, Wettable Flank
Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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