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DMTH10H017LPDQ-13

DMTH10H017LPDQ-13

DMTH10H017LPDQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

nicht konform

DMTH10H017LPDQ-13 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.77235 $0.77235
500 $0.7646265 $382.31325
1000 $0.756903 $756.903
1500 $0.7491795 $1123.76925
2000 $0.741456 $1482.912
2500 $0.7337325 $1834.33125
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13A (Ta), 59A (Tc)
rds ein (max) @ id, vgs 17.4mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 28.6nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1986pF @ 50V
Leistung - max. 1.5W (Ta), 93W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
Lieferantengerätepaket PowerDI5060-8 (Type E)
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