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DMTH10H1M7STLWQ-13

DMTH10H1M7STLWQ-13

DMTH10H1M7STLWQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10

compliant

DMTH10H1M7STLWQ-13 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.78000 $5.78
500 $5.7222 $2861.1
1000 $5.6644 $5664.4
1500 $5.6066 $8409.9
2000 $5.5488 $11097.6
2500 $5.491 $13727.5
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 250A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 147 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9871 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6W (Ta), 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket POWERDI1012-8
Paket / Koffer 8-PowerSFN
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Zugehörige Teilenummer

IRF6797MTRPBF
RQ6E035ATTCR
SQD15N06-42L_T4GE3
FQAF16N50
FQAF16N50
$0 $/Stück
R6004CNDTL
R6004CNDTL
$0 $/Stück
SI1403BDL-T1-E3
NTMFS4C10NBT1G
NTMFS4C10NBT1G
$0 $/Stück
SI7309DN-T1-GE3
STW68N60M6-4

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