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DMTH4M70SPGW-13

DMTH4M70SPGW-13

DMTH4M70SPGW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808

compliant

DMTH4M70SPGW-13 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.89000 $1.89
500 $1.8711 $935.55
1000 $1.8522 $1852.2
1500 $1.8333 $2749.95
2000 $1.8144 $3628.8
2500 $1.7955 $4488.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 460A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 0.7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 117.1 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 10053 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5.6W (Ta), 428W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerDI8080-5
Paket / Koffer SOT-1235
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Zugehörige Teilenummer

IRF523
IRF523
$0 $/Stück
NDCTR2065A
NDCTR2065A
$0 $/Stück
NTMFS6H858NT1G
NTMFS6H858NT1G
$0 $/Stück
BUK9Y8R8-60ELX
MCAC95N065Y-TP
RF1S4N100SM9A
NVMFWS3D0P04M8LT1G
NVMFWS3D0P04M8LT1G
$0 $/Stück
RJK5013DPP-E0#T2
RJK5013DPP-E0#T2
$0 $/Stück
G30N04D3
G30N04D3
$0 $/Stück

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