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DMTH4M70SPGWQ-13

DMTH4M70SPGWQ-13

DMTH4M70SPGWQ-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808

compliant

DMTH4M70SPGWQ-13 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.04000 $2.04
500 $2.0196 $1009.8
1000 $1.9992 $1999.2
1500 $1.9788 $2968.2
2000 $1.9584 $3916.8
2500 $1.938 $4845
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 460A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 0.7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 117.1 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 10053 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5.6W (Ta), 428W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerDI8080-5
Paket / Koffer SOT-1235
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Zugehörige Teilenummer

G11S
G11S
$0 $/Stück
DMP3011SFVWQ-7
G3035
G3035
$0 $/Stück
BUK9Y1R6-40HX
DMTH6005LFG-13
2SK544D
2SK544D
$0 $/Stück
IRFP352
IRFP352
$0 $/Stück
6HN04MH-TL-E
6HN04MH-TL-E
$0 $/Stück
IXFH26N65X2
IXFH26N65X2
$0 $/Stück

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