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DMTH8008LFGQ-7

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DMTH8008LFGQ-7

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

nicht konform

DMTH8008LFGQ-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.61539 $0.61539
500 $0.6092361 $304.61805
1000 $0.6030822 $603.0822
1500 $0.5969283 $895.39245
2000 $0.5907744 $1181.5488
2500 $0.5846205 $1461.55125
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17A (Ta), 70A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 37.7 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2254 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.2W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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