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DRDNB16W-7

DRDNB16W-7

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TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363

DRDNB16W-7 Technisches Datenblatt

nicht konform

DRDNB16W-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.11595 -
6,000 $0.10965 -
15,000 $0.10335 -
30,000 $0.09600 -
49823 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (ic) (max) 600 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V
Widerstand - Basis (r1) 1 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (r2) 10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce 56 @ 50mA, 5V
vce-Sättigung (max) @ ib, ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max) 500nA
Frequenz - Übergang 200 MHz
Leistung - max. 200 mW
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SOT-363
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Zugehörige Teilenummer

DTC143ZUBTL
NTE2369
NTE2369
$0 $/Stück
DTA124EUBHZGTL
MMUN2115LT1G
MMUN2115LT1G
$0 $/Stück
DTA014YMT2L
DTC043ZEBTL
PBRN123YT,215
NSVMUN2112T1G
NSVMUN2112T1G
$0 $/Stück

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