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DRDNB26W-7

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TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363

DRDNB26W-7 Technisches Datenblatt

nicht konform

DRDNB26W-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
Transistortyp NPN - Pre-Biased + Diode
Strom - Kollektor (ic) (max) 600 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V
Widerstand - Basis (r1) 220 Ohms
Widerstand - Emitterbasis (r2) 4.7 kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce 47 @ 50mA, 5V
vce-Sättigung (max) @ ib, ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max) 500nA
Frequenz - Übergang 200 MHz
Leistung - max. 200 mW
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SOT-363
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