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HTMN5130SSD-13

HTMN5130SSD-13

HTMN5130SSD-13

MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC

compliant

HTMN5130SSD-13 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $1.00780 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 55V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.6A
rds ein (max) @ id, vgs 130mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.9nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 218.7pF @ 25V
Leistung - max. 1.7W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO
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Zugehörige Teilenummer

HUF75637S3
SLA5065
SLA5065
$0 $/Stück
FDMC8200S
FDMC8200S
$0 $/Stück
FDMD8560L
FDMD8560L
$0 $/Stück
IRF7351TRPBF
SI4340CDY-T1-E3
2SK3704-CB11
2SK3704-CB11
$0 $/Stück
PMDPB38UNE,115
PMDPB38UNE,115
$0 $/Stück

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