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ZVN3310ASTZ

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MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE

ZVN3310ASTZ Technisches Datenblatt

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ZVN3310ASTZ Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $0.35003 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 10Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 40 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 625mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket E-Line (TO-92 compatible)
Paket / Koffer E-Line-3
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