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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Active |
| FET-Typ | 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 100V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 800mA, 680mA |
| rds ein (max) @ id, vgs | 700mOhm @ 1.5A, 10V |
| vgs(th) (max) @ ID | 4V @ 250µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 2.9nC @ 10V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 138pF @ 60V |
| Leistung - max. | 870mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Paket / Koffer | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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