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ZXMN3A06DN8TA

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MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

nicht konform

ZXMN3A06DN8TA Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
500 $0.75570 $377.85
1,000 $0.61050 -
2,500 $0.57420 -
5,000 $0.54879 -
12,500 $0.53064 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.9A
rds ein (max) @ id, vgs 35mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17.5nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 796pF @ 25V
Leistung - max. 1.8W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO
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Zugehörige Teilenummer

QH8JB5TCR
QH8JB5TCR
$0 $/Stück
SI5948DU-T1-GE3
BUK9K17-60EX
RF1K4909096
EM6K31T2R
EM6K31T2R
$0 $/Stück
SQJ974EP-T1_BE3
FDMS7620S
FDMS7620S
$0 $/Stück
SI4599DY-T1-GE3

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