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ZXMN3A06DN8TC

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MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.9A
rds ein (max) @ id, vgs 35mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17.5nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 796pF @ 25V
Leistung - max. 1.8W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO
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Zugehörige Teilenummer

MMDF3N04HDR2
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NVMFD5853NLWFT1G
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PMWD30UN,518
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NTJD4152PT1
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FDG6314P
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NVMFD5877NLT1G
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