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ZXMN6A07ZTA

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MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3

ZXMN6A07ZTA Technisches Datenblatt

nicht konform

ZXMN6A07ZTA Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.27115 -
2,000 $0.24723 -
5,000 $0.23128 -
10,000 $0.21533 -
25,000 $0.20416 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.9A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 250mOhm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 3.2 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 166 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur -
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-89-3
Paket / Koffer TO-243AA
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Zugehörige Teilenummer

FQD20N06TM
FQD20N06TM
$0 $/Stück
PSMN2R0-40YLDX
BUK7214-75B,118
SI1403BDL-T1-GE3
IXFT26N100XHV
IXFT26N100XHV
$0 $/Stück
DMN4034SSSQ-13
NTMFS6H836NLT1G
NTMFS6H836NLT1G
$0 $/Stück

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