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ZXMN6A09GTA

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MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223

ZXMN6A09GTA Technisches Datenblatt

nicht konform

ZXMN6A09GTA Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.56925 -
2,000 $0.53130 -
5,000 $0.50474 -
10,000 $0.48576 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.4A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 40mOhm @ 8.2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 24.2 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1407 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-223-3
Paket / Koffer TO-261-4, TO-261AA
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Zugehörige Teilenummer

IXFB44N100P
IXFB44N100P
$0 $/Stück
BSP88E6327
SI8824EDB-T2-E1
IRFZ24NPBF
IRL3803PBF
STW25N80K5
STW25N80K5
$0 $/Stück
RM8N650T2
RM8N650T2
$0 $/Stück

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