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DI020N06D1

DI020N06D1

DI020N06D1

MOSFET N-CH 60V 20A TO252-3 DPAK

DI020N06D1 Technisches Datenblatt

compliant

DI020N06D1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.31330 $0.3133
500 $0.310167 $155.0835
1000 $0.307034 $307.034
1500 $0.303901 $455.8515
2000 $0.300768 $601.536
2500 $0.297635 $744.0875
2500 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 35mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25.3 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 590 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252-3, DPak
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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