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DI035N10PT

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DI035N10PT

MOSFET, 100V, 35A, N, 25W

DI035N10PT Technisches Datenblatt

compliant

DI035N10PT Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.11233 $2.11233
500 $2.0912067 $1045.60335
1000 $2.0700834 $2070.0834
1500 $2.0489601 $3073.44015
2000 $2.0278368 $4055.6736
2500 $2.0067135 $5016.78375
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 18mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1220 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 25W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-QFN (3x3)
Paket / Koffer 8-PowerWDFN
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Zugehörige Teilenummer

STB35N65M5
STB35N65M5
$0 $/Stück
IXFH50N85X
IXFH50N85X
$0 $/Stück
NTE2393
NTE2393
$0 $/Stück
FDS8672S
FDS8672S
$0 $/Stück
IXFN220N20X3
IXFN220N20X3
$0 $/Stück
SPA20N65C3XK
ES6U3T2CR
ES6U3T2CR
$0 $/Stück
SIJ462ADP-T1-GE3
DI010N03PW

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