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DI050N04PT

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DI050N04PT

MOSFET, 40V, 50A, 37W

DI050N04PT Technisches Datenblatt

nicht konform

DI050N04PT Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.41300 $2.413
500 $2.38887 $1194.435
1000 $2.36474 $2364.74
1500 $2.34061 $3510.915
2000 $2.31648 $4632.96
2500 $2.29235 $5730.875
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 59 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3255 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 37W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-QFN (3x3)
Paket / Koffer 8-PowerWDFN
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Zugehörige Teilenummer

SI2301CDS-T1-GE3
IXTQ26N50P
IXTQ26N50P
$0 $/Stück
STD1NK60-1
STD1NK60-1
$0 $/Stück
STP25N80K5
STP25N80K5
$0 $/Stück
APT20M18LVRG
SQJA16EP-T1_GE3
STB160N75F3
R6024KNX
R6024KNX
$0 $/Stück

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