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DI080N03PQ

DI080N03PQ

DI080N03PQ

MOSFET N-CH 30V 80A 8QFN

DI080N03PQ Technisches Datenblatt

compliant

DI080N03PQ Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.58700 $0.587
500 $0.58113 $290.565
1000 $0.57526 $575.26
1500 $0.56939 $854.085
2000 $0.56352 $1127.04
2500 $0.55765 $1394.125
5000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 21 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7460 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 78W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-QFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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