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DI100N10PQ

DI100N10PQ

DI100N10PQ

MOSFET N-CH 100V 100A 8QFN

DI100N10PQ Technisches Datenblatt

compliant

DI100N10PQ Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.54540 $1.5454
500 $1.529946 $764.973
1000 $1.514492 $1514.492
1500 $1.499038 $2248.557
2000 $1.483584 $2967.168
2500 $1.46813 $3670.325
5000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 64 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3400 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-QFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

SQD50P04-09L_T4GE3
DMT67M8LCGQ-13
FDMC8015L-L701
FDMC8015L-L701
$0 $/Stück
DMTH69M8LFVW-7
DMN3018SFGQ-13
2SJ604-ZJ-E1-AZ
2SJ604-ZJ-E1-AZ
$0 $/Stück
APT1201R6BVRG
BSB165N15NZ3G

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