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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Active |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 30V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 10A (Ta), 40A (Ta) |
| rds ein (max) @ id, vgs | 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V |
| vgs(th) (max) @ ID | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V |
| Leistung - max. | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Paket / Koffer | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
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