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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Active |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 60V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 9.5A, 38A |
| rds ein (max) @ id, vgs | 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V |
| vgs(th) (max) @ ID | 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V |
| Leistung - max. | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Paket / Koffer | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
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