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EPC2101ENGRT

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EPC

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

nicht konform

EPC2101ENGRT Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
500 $4.77400 $2387
1,000 $4.31200 -
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9.5A, 38A
rds ein (max) @ id, vgs 11.5mOhm @ 20A, 5V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 2mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 2.7nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 300pF @ 30V
Leistung - max. -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer Die
Lieferantengerätepaket Die
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Zugehörige Teilenummer

IRF9953TR
IRF5850TR
SI4622DY-T1-GE3
SI1563EDH-T1-E3
SI9936BDY-T1-GE3
RF1K49092
PHN210,118
PHN210,118
$0 $/Stück

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